[25a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[25a-E202-8] 熱電能電界変調法によるInGaO₃(ZnO)_m薄膜トランジスタの有効チャネル厚さ解析

〇藤本 卓嗣¹、太田 裕道² (1.北大院情報、2.北大電子研)

キーワード：透明アモルファス酸化物半導体

m値を変化させたInGaO₃(ZnO)_m (IGZO_m)薄膜トランジスタを作製し、そのトランジスタ特製を解析した。また、チャネルの熱電能のゲート電圧依存性を調べる(熱電能電界変調法)ことにより、IGZO_m薄膜トランジスタのチャネル厚さの解析を行った。