[25a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[25a-E202-9] LaZrO/InO電気二重層トランジスタの電気的特性とパラメータ解析

〇中澤 弘実¹、石井 博¹、高村 禅² (1.三菱マテリアル、2.北陸先端大)

キーワード：電気二重層、トランジスタ、酸化インジウム

ゲート絶縁層をLaZrO、チャネル層をInO酸化物半導体とした電気二重層TFTは、低ゲート電圧で巨大な伝達コンダクタンス値を示す。そのメカニズムを明らかにするため、電気的特性を評価して電気二重層の厚さと誘電率、チャネル層のキャリア電子の濃度nと移動度μ、などの解析を行い、電気二重層の厚さは1nm程度と推定できること、μとｎの関係は固相結晶化In₂O₃薄膜のそれと類似していること、などが分かった。