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[25a-E203-1] Improvement of crystalline quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by MOVPE using post-growth annealing with TMGa
Keywords:MOVPE, AlN, Post-growth annealing
2016年スパッタ堆積法とポストアニール処理法(>1600℃)を用いて高品質AlN/サファイア基板が得られることが報告されたが、製造コスト削減の観点からMOVPE一貫プロセスにて高品質AlN/サファイア基板を得ることが望まれている。今回我々は、MOVPE成長後のAlN/サファイア基板をTMGa添加しながらポストアニール処理することにより、AlNの結晶性の改善が実現できることを見出したので報告する。