The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 25, 2022 9:00 AM - 12:00 PM E203 (E203)

Hiroto Sekiguchi(Toyohashi Univ. of Tech.), Momoko Deura(Univ. of Tokyo)

9:00 AM - 9:15 AM

[25a-E203-1] Improvement of crystalline quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by MOVPE using post-growth annealing with TMGa

〇Masataka Imura1, Hideki Inaba1, Takaaki Mano1, Nobuyuki Ishida1, Fumihiko Uesugi1, Yoko Kuroda1, Yoshiko Nakayama1, Masaki Takeguchi1, Yasuo Koide1 (1.NIMS)

Keywords:MOVPE, AlN, Post-growth annealing

2016年スパッタ堆積法とポストアニール処理法(>1600℃)を用いて高品質AlN/サファイア基板が得られることが報告されたが、製造コスト削減の観点からMOVPE一貫プロセスにて高品質AlN/サファイア基板を得ることが望まれている。今回我々は、MOVPE成長後のAlN/サファイア基板をTMGa添加しながらポストアニール処理することにより、AlNの結晶性の改善が実現できることを見出したので報告する。