[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-E203-1] TMGa添加ポストアニール処理によるc面サファイア基板上AlNの結晶品質改善

〇井村 将隆¹、稲葉 英樹¹、間野 高明¹、石田 暢之¹、上杉 文彦¹、黒田 陽子¹、中山 佳子¹、竹口 雅樹¹、小出 康夫¹ (1.物材機構)

キーワード：有機金属化合物気相成長法、窒化アルミニウム、ポストアニール処理

2016年スパッタ堆積法とポストアニール処理法(>1600℃)を用いて高品質AlN/サファイア基板が得られることが報告されたが、製造コスト削減の観点からMOVPE一貫プロセスにて高品質AlN/サファイア基板を得ることが望まれている。今回我々は、MOVPE成長後のAlN/サファイア基板をTMGa添加しながらポストアニール処理することにより、AlNの結晶性の改善が実現できることを見出したので報告する。