[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [25a-E203-11] In-situ reflectivity measurements of GaN-Based VCSEL

〇(M1)Tsuyoshi Nagasawa¹, Kana Shibata¹, Tetsuro Inagaki¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:vertical cavity surface emitting laser

GaAs系面発光レーザ(VCSEL)では、エピタキシャル成長中のその場反射率スペクトルによる共振器長制御が行われている。一方、GaN系では、その場反射率スペクトルによる共振器長制御の報告はほとんどない。今回、GaN系VCSELの共振器長の制御を目的とし、AlInN/GaN DBR上にGaN共振器をエピタキシャル成長させながら反射率スペクトルを測定し、その共振器長依存性を検討した。