[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [25a-E203-11] GaN系面発光レーザ構造のその場反射率スペクトル測定

〇(M1)長澤 剛¹、柴田 夏奈¹、稲垣 徹郎¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：面発光レーザ

GaAs系面発光レーザ(VCSEL)では、エピタキシャル成長中のその場反射率スペクトルによる共振器長制御が行われている。一方、GaN系では、その場反射率スペクトルによる共振器長制御の報告はほとんどない。今回、GaN系VCSELの共振器長の制御を目的とし、AlInN/GaN DBR上にGaN共振器をエピタキシャル成長させながら反射率スペクトルを測定し、その共振器長依存性を検討した。