[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [25a-E203-2] The specific step bouncing in AlN by HT-MOVPE

〇(M1)Takumi Miyagawa¹, Shota Tsuda¹, Tomita Atsushi¹, Hideki Hirayama^2,3, Yuusuke Takashima¹, Yosiki Naoi^1,2, Kentaro Nagamatsu^1,2 (1.Tokushima Univ., 2.Tokushima Univ. pLED, 3.RIKEN)

Keywords:Aluminum Nitride, crystal growth, step bouncing

AlGaN系深紫外LEDは、AlGaN発光層でのGaのマクロな局在効果が発光効率の改善として有効なことが知られている。この現象は基板のオフ角増大によりAlNの下地層にステップバンチングを発生させることで起こる。本研究では、これまでに報告されてきたサファイア基板の微傾斜オフ角度でのステップバンチングとは異なり、サファイア基板のオフ角による成長の駆動力がすべてバンチングの形成に利用された特異的なステップバンチングが観測された。