[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25a-E203-3] Dependence of V/III ratio in high temperature AlN growth on low misorientation off-angle sapphire substrates

〇(B)Atsushi Tomita¹, Shota Tsuda¹, Takumi Miyagawa¹, Hideki Hirayama^2,3, Yuusuke Takashima^1,2, Yoshiki Naoi^1,2, Kentaro Nagamatsu^1,2 (1.Tokushima Univ., 2.Tokushima Univ. pLED., 3.RIKEN)

Keywords:Aluminum Nitride, Crystal Growth

AlGaN系深紫外LEDの作製において、下地層であるAlNの低転位化は重要である。これまでのAlNの成長では低転位化に有効である高温成長は気相反応を引き起こす原因となっていた。そこで、高温下でも気相反応を抑制したMOVPEを用いてAlNのV/III比を変化させて成長した結果、ステップバンチングが確認された。したがって、より低オフ角のサファイア基板を用いてAlNのV/III比依存性を再度、調査した。