[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-E203-3] 低オフ角サファイア基板を用いた高温AlN成長におけるV/III比依存性

〇(B)富田 敦之¹、津田 翔太¹、宮川 拓己¹、平山 秀樹^2,3、高島 祐介^1,2、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳大理工、2.徳大pLED研、3.理研)

キーワード：窒化アルミニウム、結晶成長

AlGaN系深紫外LEDの作製において、下地層であるAlNの低転位化は重要である。これまでのAlNの成長では低転位化に有効である高温成長は気相反応を引き起こす原因となっていた。そこで、高温下でも気相反応を抑制したMOVPEを用いてAlNのV/III比を変化させて成長した結果、ステップバンチングが確認された。したがって、より低オフ角のサファイア基板を用いてAlNのV/III比依存性を再度、調査した。