[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-E203-5] 低抵抗Mgドープp型高Al組成AlGaN成長

〇鷲山 瞬¹、郝 国棟¹、松下 智紀¹、井上 振一郎¹ (1.情通機構)

キーワード：p型AlGaN、ドーピング、点欠陥