2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[25a-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2022年3月25日(金) 09:00 〜 12:00 E204 (E204)

小倉 政彦(産総研)、大谷 亮太(旭ダイヤ)

09:15 〜 09:30

[25a-E204-2] 超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドの作製と物性評価

〇(B)上田 真由1、早坂 京祐1、金久 京太郎1、高橋 泰裕1、若林 千幸1、蔭浦 泰資1,2、川原田 洋1,3 (1.早大理工、2.NIMS、3.早大材研)

キーワード:CVDダイヤモンド

高濃度窒素ドープダイヤモンドの作製によって、NVセンターによる高感度磁気センシングの実現が期待できる。高濃度窒素ドーピングによってダイヤモンドの膜質が低下する一方で、成膜時の炭素と酸素の1:1供給で膜質向上の報告がある。そこで今回、成膜中の酸素導入効果と窒素ドープ高濃度化の調査を行った。CVD法で超高濃度窒素ドープダイヤモンドを作製し、X線回折装置と透過型電子顕微鏡を用いて薄膜の物性評価を行った。