[25a-E204-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

[25a-E204-7] Dislocation propagation in homoepitaxial diamond {111} layer

〇Kimiyoshi Ichikawa¹, Kato Yukako², Satoshi Koizumi¹, Tokuyuki Teraji¹ (1.NIMS, 2.AIST)

Keywords:diamond, dislocation, Raman imaging

ダイヤモンド構造は、主すべり系が{111} <110>であり、<110>方向に転位線を持つ転位がエネルギー的に低く形成されやすい。CVD法によるダイヤモンド薄膜成長では、(001)成長の場合、成長方向に平行な貫通転位が形成される。この転位は、主すべり系から推定される転位線方向と異なる。NVセンタの配向や原子平坦面が得られる(111)面の成長においては、転位に関して不明な点が多い。本研究では、(111)基板に成長したホモエピタキシャルダイヤモンド厚膜中の転位を共焦点ラマンイメージングにより3次元的に評価し、(001)薄膜成長と比較することで成長方向の転位伝播への影響を明らかにした。