[25a-E204-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

[25a-E204-6] Reduction of dislocations in diamond by three-dimensional CVD growth

〇Takehiro Shimaoka¹, Hideaki Yamada¹, Nobuteru Tsubouchi¹, Yoshiaki Mokuno¹, Akiyoshi Chayahara¹ (1.AIST)

Keywords:dislocation density, chemical vapor deposition

本研究では、バルクダイヤモンド化学気相成長(CVD)技術を応用した転位密度の低減手法を報告する。CVD法によるダイヤモンド{100}成長では、転位の大部分は成長方向である[001]方向に伝搬する。この特徴を利用し、[001]方向へのバルク結晶成長後、 [100]方向に追成長を行い、エッチピットによる転位密度評価を行った。追成長面では基板と比較し、1桁転位密度が減少した。