[25a-E205-1~9] 12.1 作製・構造制御

[25a-E205-9] 【注目講演】「準ホモエピタキシャル」成長による高秩序な単結晶有機半導体ヘテロ接合の形成

〇中山 泰生¹、高橋 加奈¹、小金澤 智之²、大塚 尚哉³、椴山 儀恵³、伊澤 誠一郎³、平本 昌宏³ (1.東理大院理工、2.JASRI、3.分子研)

キーワード：微小角入射X線回折法

本講演では，基材の有機半導体（ルブレン）単結晶の表面と非常に近い格子定数を有するルブレン誘導体（fmルブレン）を「準ホモエピタキシャル」的に成膜することで，結晶構造が全く異なる分子間におけるヘテロエピタキシャル接合より面内結晶子サイズが大幅に向上した極めて結晶性の良い分子間接合を形成可能であることを見出した研究成果[J. Phys. Chem. Lett. 12 (2021) 11430]について報告する。