[25a-E301-1~9] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[25a-E301-4] Mechanism of defect contrast formation in SiC wafers by polarized light microscopy observation

〇Shunta Harada¹, Kenta Murayama² (1.Nagoya Univ., 2.Mipox Corporation)

Keywords:polarized microscopy, semiconductor wafer, defect

光学異方性を加味した偏光強度の理論的な検討を行うことにより、SiC基板の偏光観察におけるコントラスト生成メカニズムを解明した。