[25a-E301-1~9] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[25a-E301-5] Dislocation Dynamics Simulation of Threading Edge Dislocations in 4H-SiC Crystal Considering Climb Motion

〇Kiyoshi Betsuyaku¹, Norihiro Hoshino¹, Kamata Isaho¹, Takahiro Kanda², Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI, 2.MIRISE)

Keywords:Dislocation, SiC, Crystal Growth

4H-SiC結晶における貫通刃状転位間(TED)について上昇運動を考慮した転位動力学法シミュレーションを行った。バーガース・ベクトルが逆向きの二つのTEDに対して計算を行った結果、すべり面の異なるTEDが対消滅するという結果を得た。講演においては、ウェハ中の複数のTEDに対する結果についても議論する。