[25a-E301-1~9] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [25a-E301-8] Limited Current in 4H-SiC N-type Epilayer due to Various Types of Stacking Faults

〇Satoshi Asada¹, Koichi Murata¹, Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI)

Keywords:SiC, Stacking Faults, Quantum well

低損失パワーデバイス用材料として有望なSiC であるが、そのエピ層中には依然として様々な種類の積層欠陥(SF)が存在している。しかし、それらのSF がSiC デバイスの電気特性に与える影響は定量的には明らかでない。そこで本研究では、動作面積内に占有率1 でSF を有するn 型ショットキーダイオード(SBD)を作製し、電流-電圧特性やその温度依存性を評価することで、SF が電気特性に与える影響を実験的に明らかにした。