[25a-F307-1~8] 6.4 薄膜新材料

[25a-F307-2] 二硫化モリブデンを用いたp型トランジスタの作製と高性能化

〇清水 耕作¹、鈴木 直登¹、荒井 大地¹、半澤 元樹¹ (1.日大生産工)

キーワード：硫化物、薄膜トランジスタ、スパッタ

モリブデン硫化物を用いてp型高移動度薄膜トランジスタを作製した。高性能化を検討するために電極金属やアニール条件について検討を行った結果を報告する。硫化モリブデンは、スパッタにて堆積し、さらに酸素、水との反応を防ぐためにSIO2 を100nm堆積させた。またTFT作製後は、硫黄雰囲気化でアニールを行った。200℃一時間のアニールにて移動度は51.4cm²/Vsを得た。高い信頼性に向けて検討を進めたい。