[25a-F307-1~8] 6.4 Thin films and New materials

[25a-F307-6] Nitridation of Ga₂O₃ epitaxial thin film using melamine flow reduction-nitridation

〇Takahiko Kawaguchi¹, Yuka Shoji¹, Naonori Sakamoto¹, Hisao Suzuki¹, Naoki Wakiya¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:nitride, melamine, oxide

窒化物は、発光素子、耐熱材、磁性材料など様々 な用途へ応用できる有用な材料である。近年、
窒化物の合成方法としてメラミン(C₃H₆N₆)を固体窒化源として利用した還元窒化法が注目されて
いる。我々は、メラミンと酸化物原料を反応管内に別々に設置し、上流側からメラミンを供給す
る 「メラミンフロー還元窒化法」の開発を進めている。今回我々は、酸化物エピタキシャル薄膜
に 本手法を適用した際トポケミカル反応が進行すれば、窒化物の二軸配向薄膜が得られるのでは
ないかと考えた。そこで本研究では、β-Ga₂O₃ エピタキシャル薄膜をモデルケースとして、メラミ
ンフロー還元窒化法により酸化物薄膜から窒化物薄膜の作製を試みた。