[25p-D113-1~5] 15.2 II-VI and related compounds

△ [25p-D113-1] Effect of sapphire nano-faceted plane size on the ZnTe(110) thin film crystallinity

〇(M2)Shotaro Kobayashi¹, Hayato Kawashima¹, Kota Sugimoto¹, Takumi Ikeda¹, Kaito Tsuboi¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept.of.EE.&BS., 2.Waseda Univ. Lab.for Mat.Sci.&Tech.)

Keywords:semiconductor, molecular beam epitaxy, nano-facet

テラヘルツ波検出素子応用に向け、MBE法によりサファイアr,S面ナノファセット基板上に高品質な(110)配向ZnTe薄膜の作製を目指している。ナノファセット構造の高さは熱処理温度や時間によって制御可能であることから、今回はナノファセット面のサイズを変えて実験を行った。成長後の薄膜に関しては、成長層界面を断面TEMで観察し、結晶性をX線回折法で評価した。