[25p-D114-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [25p-D114-15] Investigation on Band Structure of Unstrained GeSn (Sn 9%) by PL Spectra Analyses

〇Yuta Satake¹, Shizuru Matsunaga¹, Gai Ogasawara¹, Yuta Ito¹, Ryo Yokogawa^1,2, Yosuke Shimura^3,4, Roger Loo⁵, Anurag Vohra^5,6, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Shizuoka Univ., 4.RIE Shizuoka Univ., 5.imec, 6.K. U. Leuven)

Keywords:unstrained GeSn

GeはSn添加や引張歪の印加でバンドギャップが縮小し，直接遷移型半導体への変調が可能である．高効率の発光・受光材料としての応用を目的として，Geを直接遷移化するために必要なSn組成が検討されている．本報告では，歪印加によるバンドギャップ縮小とSn添加によるバンドギャップ縮小を分けて議論するため，無歪GeSn(Sn 9%)のPL測定で検出された発光線の帰属を以前の報告より詳細に考察し，そのバンド構造を議論する．