[25p-D114-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[25p-D114-8] 液浸ラマン分光法による極薄膜GOI pMOSFETの異方性二軸応力評価

〇横川 凌^1,2、Chia-Tsong Chen³、Kasidit Toprasertpong³、竹中 充³、高木 信一³、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.東大院工)

キーワード：GOI、MOSFET、液浸ラマン分光法

酸化濃縮法で作製された極薄膜GOIは容易に作製、適切に歪を導入でき、既に優れたデバイス特性が実証されている。しかしながらGOI薄膜化、デバイス加工に伴いチャネル内の歪状態は複雑に変化し、高精度な歪・応力およびその緩和の観測が重要となる。本研究では酸化濃縮法で作製された極薄膜GOI pMOSFETに対し、液浸ラマン分光法によるGOIチャネルの異方性二軸応力評価を検討したので報告する。