[25p-D114-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

[25p-D114-8] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-thin-body GOI p-type MOSFET by Oil-immersion Raman Spectroscopy

〇Ryo Yokogawa^1,2, Chia-Tsong Chen³, Kasidit Toprasertpong³, Mitsuru Takenaka³, Shinichi Takagi³, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:GOI, MOSFET, Oil-immersion Raman spectroscopy

酸化濃縮法で作製された極薄膜GOIは容易に作製、適切に歪を導入でき、既に優れたデバイス特性が実証されている。しかしながらGOI薄膜化、デバイス加工に伴いチャネル内の歪状態は複雑に変化し、高精度な歪・応力およびその緩和の観測が重要となる。本研究では酸化濃縮法で作製された極薄膜GOI pMOSFETに対し、液浸ラマン分光法によるGOIチャネルの異方性二軸応力評価を検討したので報告する。