[25p-E102-1~19] 17.2 グラフェン

[25p-E102-1] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の役割

〇影島 博之¹、Wang Shengnan²、日比野 浩樹³ (1.島根大院自然科学、2.NTT物性基礎研、3.関西学院大工)

キーワード：hBN/グラフェンヘテロ構造、第一原理計算、CVD成長

我々は、実験的にhBN/グラフェンの縦型ヘテロ構造と横型ヘテロ構造のCVD成長による作り分けに成功したが、その理由として成長方向選択性制御の起源が先に成長した島のエッジのH終端の有無にあることを、第一原理計算の結果を基に提案してきた。今回は、BNダイマーの吸着に関しての追加検討結果に基づいてこの提案の是非を議論する。