[25p-E102-1~19] 17.2 グラフェン

[25p-E102-4] ナノインデンテーション法による歪みグラフェンドットの作製

〇(M2)賈 鍾睿¹、吉武 一彦²、ビシコフスキー アントン^1,2、田中 悟^1,2 (1.九大院工、2.九大工)

キーワード：グラフェン、歪み、ナノインデンテーション

格子歪みによりグラフェンの内部に擬磁場が生じることが知られており，SiC表面上の三角形状に窪んだ領域のグラフェンドットにランダウ量子化が観察されている。この歪みドットを２次元配列し、歪み超格子を形成するとフラットバンドが生じることが計算で示されており、量子異常ホール効果を実験的に観測可能な系として有望である。本研究ではナノインデンテーション法とグラフェン転写を組合わせ，歪み超格子の実現を目指す。