[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-1] 中性粒子ビーム原子層堆積法によるHfO₂/SiO₂膜の室温成長

〇大堀 大介¹、Ge Beibei¹、Chen Yi-Ho²、尾崎 卓哉¹、遠藤 和彦³、Li Yiming²、Tarng Jenn-Hwan²、寒川 誠二^1,2,4 (1.東北大流体研、2.NYCU、3.産総研、4.東北大AIMR)

キーワード：原子層堆積法、中性粒子ビーム、high-k膜

次世代材料であるGeやSiGeを用いたMOSトランジスタ作製において、プロセス中の熱収支を下げつつ高品質なゲート絶縁膜の作製が求められている。本研究では、低温NBEALDを用いて高品質なアモルファスHfO₂薄膜/SiO₂薄膜/Si基板構造の作製を行い、HfO₂薄膜の表面粗さと結晶状態を調べた。