[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-12] 任意電圧波形励起PECVDによるa-C:H成膜における希ガスの効果の検証

〇永松 大樹¹、有馬 聡明¹、大高 真寛¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、大友 洋²、進藤 崇央²、田中 諭志²、松戸 龍夫² (1.九州大学、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))

キーワード：プラズマ CVD

近年,PECVDによるa-C:H成膜において,イオンエネルギーとイオンフラックスの独立制御が求められている. その解決法の一つとして,基本周波数とその高調波を同時に印加する任意電圧波形（TVWs）放電手法が提案されている[1,2]. 私たちはTVWs-PECVDを用いてa-C:Hを成膜している. 本稿では， a-C:H膜密度と自己バイアス電圧の関係及びNe添加による効果の検討について報告する.