[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-13] C₃H₆ / H₂プラズマを用いた水素化アモルファスカーボン成膜における成膜前駆体と
膜特性の相関関係

黒川 純平¹、光成 正^2,3、〇近藤 博基³、堤 隆嘉³、関根 誠³、石川 健治³、堀 勝³ (1.名大院工、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ、3.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：プラズマCVD、非晶質カーボン、エッチングマスク

プラズマ化学気相堆積（PECVD）法による水素化アモルファスカーボン（a-C:H）薄膜のエッチングハードマスク応用に向けて、エッチング耐性の向上及び残留応力の低減が求められている。本研究では、C₃H₆ / H₂プラズマを用いた成膜における水素流量比に注目し、気相中のラジカル及びイオンの計測と、それらの水素含有量や炭素原子の結合状態、エッチングレート、残留応力などの膜特性への影響について調べた。