講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2022年3月25日(金) 13:00 〜 18:30 E104 (E104)

荻野明久(静大)、針谷達(豊橋技科大)

17:00 〜 17:15

[25p-E104-16] c-C₄F₈/Si(CH₃)₄混合凝縮層の電子照射によるa-SiC:Fの低温合成

〇(M2)戸田俊太郎¹、佐藤哲也¹ (1.山梨大工)

キーワード：プラズマ化学気相堆積、a-C:F薄膜、低温成膜