[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25p-E104-3] Fabrication of aluminum nitride with low-temperature atomic layer deposition

〇(D)Kentaro Saito¹, Kazuki Yoshida¹, Masanori Miura², Kensaku Kanomata², Bashir Ahmmad¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum nitride

窒化アルミニウム(AlN)は、AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスターのパッシベーション層として期待される。従来のAlN薄膜の製膜法は原子層堆積法(Atomic Layer Deposition)等であり、通常300 ℃以上の高温で行われる。パッシベーション層界面の固相拡散反応を防ぐために、成膜温度の低温化が求められるが、低温AlN ALDの詳細な報告は少ない。前回の学会では、我々はこのメカニズムの解明のために160 ℃でのAlN ALDの素反応のメカニズムを提案した。しかし、その薄膜の内部や基板との界面付近の化学組成や結晶状態の観察はできていなかった。本研究では、160 ℃の低温ALDで成膜したAlN膜の内部や界面の化学組成や結晶状態を、それぞれ二次イオン質量分析や断面透過電子顕微鏡画像で観察したので報告する。