[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-5] 低圧TEOSガスRFプラズマから基板への入射ラジカル種および正イオン種の質量分析

〇(M2)石井 晃一¹、佐々木 瞬¹、神山 真大¹、李 虎²、伝宝 一樹²、小田 昭紀¹ (1.千葉工業大学、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)

キーワード：質量分析、テトラエトキシシラン

半導体における金属間絶縁膜やパッシベーション膜として，二酸化ケイ素(SiO₂)膜が用いられている。その際，原料ガスにテトラエトキシシラン（Tetraethoxysilane, 以下TEOS）ガスを用いたプラズマ支援化学気相成長法がよく用いられている。しかし，プラズマ中のTEOSガスの分解過程やTEOSプラズマの基礎特性などに関して報告例が少なく未解明な状況である。そこで本研究では，Arガスで希釈されたTEOSガスRFプラズマから基板に入射するラジカル種および正イオン種を四重極質量分析装置を用いて計測し，これら粒子種の入力電力依存性について調査したので，その結果を報告する。