[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-7] HC-PECVD成膜されたSiO₂薄膜の残留応力と赤外透過率測定

〇大谷 毅¹、大桐 巧²、依田 秀彦² (1.光融合技術協会、2.宇都宮大学工)

キーワード：PECVD、SiO2、残留応力

Hollow Cathode PECVDを用いて高密度SiO₂ 薄膜の成膜条件を検討している． 高密度化に伴い膜内残留応力の増大が懸念される．今回，高屈折率膜と低屈折率膜を成膜し，それぞれの残留応力と赤外透過率スペクトルを測定した．赤外透過率の吸収スペクトルから化学結合種を同定し，屈折率，残留応力との関係を調べた．それらの結果を報告する．