The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25p-E202-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 25, 2022 1:30 PM - 5:30 PM E202 (E202)

Rie Togashi(Sophia Univ.), Magari Yusaku(Simane Univ.)

1:45 PM - 2:00 PM

[25p-E202-2] Development of solution-processed electrode by positive direct patterning

〇Shuhei Tanaka1, Masashi Miyakawa1, Hiroshi Tsuji1, Tatsuya Takei1, Mitsuru Nakata1 (1.NHK Sci.& Tech. Res. Labs.)

Keywords:metal oxide, patterning process

リソグラフィを用いずに薄膜を加工する、ダイレクトパターニングプロセスを用いてTFTの塗布型電極を開発した。従来のネガ型のダイレクトパターニング法とは異なる、金属酸化物前駆体溶液のポジ型ダイレクトパターニングプロセスについて報告する。