The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25p-E202-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 25, 2022 1:30 PM - 5:30 PM E202 (E202)

Rie Togashi(Sophia Univ.), Magari Yusaku(Simane Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[25p-E202-3] Fabrication of ITZO-TFT-Based Active-Pixel-Sensor Pixel Arrays for Image Sensors

〇Koki Imamura1, Toshikatsu Sakai1, Hidenori Yakushiji2, Yuta Hashimoto2, Tatsuya Aotake2, Yuichi Sadamitsu2, Hiroto Sato1, Satoshi Aihara1 (1.NHK STRL, 2.Nippon Kayaku)

Keywords:imaging device, oxide semiconductor, thin-film transistor

単板式小型カメラの高感度化に向け,異なる波長選択性を持つ複数の有機光電変換膜と信号読み出し用TFT回路を積層した垂直色分離型の撮像デバイスの研究を進めている.従来のTFT回路では,画素内にTFTを1個配置した非増幅型画素が適用されており,外部ノイズの影響を受けやすいという課題があった.今回,画素内にTFTを3個配置して増幅型化した画素からなるアレイを試作し,選択した画素からの信号読み出し動作を実証した.