[25p-E202-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [25p-E202-9] Epitaxial growth of ZnO thin films on polymer substrates using β-Ga₂O₃ single crystal cleaved seed layers

〇(D)Tomoaki Oga¹, Hisashi Miyazaki², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.NDA MSE, 3.KISTEC)

Keywords:ZnO, epitaxial, polymer

高結晶・配向なワイドギャップ酸化物半導体薄膜をポリマー上に形成することでフレキシブルデバイスへの応用が期待される。ガラス転移を示すポリマー基板上では、低温での配向制御が必要である。本研究では、フレキシブル基板上における高結晶配向ZnO薄膜の作製を目的とし、β-Ga₂O₃単結晶へき開シード層を用いたポリマー基板上ZnO薄膜の結晶配向成長およびその特性について検討した。