[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-2] AlN/Al_0.5Ga_0.5N ヘテロ界面へのスパッタ再成長高濃度縮退n⁺-GaNオーミックコンタクトの形成

〇(D)前田 亮太¹、西川 祐人¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：AlGaN、HEMT、スパッタリング

AlGaNに誘起される2DEGへの良好なオーミック接触の形成は困難である。今回我々はソース・ドレイン領域に高濃度縮退n型GaN（degenerate GaN: d-GaN）薄膜をスパッタエピ成長させたAlN/Al_0.5Ga_0.5N HEMT構造を作製した。2種類のTLMパターンを用いて、n⁺-GaNと2DEGとの接触抵抗を計算したところ0.22 Ωmmの値が得られた。これはAlGaN HEMTとしては極めて低い接触抵抗であり、スパッタ法により形成したd-GaN再成長コンタクトは、AlGaN を用いたデバイスの低抵抗化に有望であることが分かった。