[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-5] スパッタ法によるSi基板上GaN成長の極性制御

〇長田 貴弘¹、末本 祐也²、上岡 義弘²、召田 雅実²、サン リウエン¹、知京 豊裕¹ (1.物材機構、2.東ソー)

キーワード：窒化物半導体、スパッタリング、極性

GaNは次世代パワーデバイス材料として注目され、さらなる製造コスト低減等の観点で on Si 構造が望ましい。さらにスパッタリング法は低温プロセスなどの利点がある。一方でGaNは、物性の極性依存性から目的に合わせた極性制御が必要となる。本発表では、酸素移動誘起の極性反転をSi基板上GaN成長に応用し、意図した酸化プロセスを組み合わせてスパッタ法で作製したSi基板上GaN薄膜の極性制御について報告する