[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[25p-E204-1] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET

〇笹間 陽介¹、蔭浦 泰資¹、井村 将隆¹、渡邊 賢司¹、谷口 尚¹、内橋 隆¹、山口 尚秀^1,2 (1.物材機構、2.筑波大数理)

キーワード：ダイヤモンド、移動度、トランジスタ

これまで水素終端ダイヤモンドに導電性を生じさせるには，外部にアクセプタを付加することが必須であると考えられてきた．我々はアクセプタがなくても導電性を生じさせることができ，むしろ除去することによって水素終端ダイヤモンドFETを高性能化できることを見出した．アクセプタ密度の低減によって，高移動度，低オン抵抗，高オンオフ比，高ドレイン電流密度，ノーマリーオフ動作を兼ね備えた高性能なFETを実現した．