[25p-E204-1~17] 6.2 Carbon-based thin films

△ [25p-E204-8] Charge Stability of Single Nitrogen-Vacancy Centers in Lightly Boron-Doped Diamond

〇Taisuke Kageura^1,2, Yosuke Sasama¹, Chikara Shinei¹, Tokuyuki Teraji¹, Keisuke Yamada³, Shinobu Onoda³, Takahide Yamaguchi¹ (1.NIMS, 2.JSPS PD, 3.QST)

Keywords:diamond, nitrogen-vacancy center, charge stability

ダイヤモンド中の窒素-空孔中心（NV中心）の電荷状態を理解することは、その量子応用において重要である。本研究では、NV中心が正に帯電すると考えられてきたホウ素ドープダイヤモンド中において、単一ＮＶ中心が負に帯電できること、スピン操作が可能であることを発見した。低濃度ドープ中におけるNV中心の電荷安定性は、レーザー励起による二光子過程やNV中心から最近接のドーパント種およびその距離に依存することを示した。