[25p-E301-1~8] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[25p-E301-2] Relationship between polishing damage on 4H-SiC substrates and generation of step bunching during epitaxial growth

〇Keiko Masumoto¹, Junji Senzaki¹, Hiroshi Yamaguchi¹ (1.AIST)

Keywords:SiC, epitaxial growth, polishing damage

SiC基板には加工ダメージがあり、エピ膜のステップバンチングの原因となる。光学検査で検出困難な加工ダメージも検出できるミラー電子式検査装置が注目されており、暗いコントラストの加工ダメージにおいて、輝度値の小さいものはステップバンチングの原因となるが、輝度値の大きいものはステップバンチングの原因とならない傾向がある。今回、加工ダメージのTEM観察を行いステップバンチングが発生しない要因について考察を行った。