[25p-E301-1~8] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[25p-E301-3] Relationship between Crystalline Quality and Electric Properties in CVD-Grown Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC Epilayers with Al Concentration of First Half of 10²⁰cm^-3

〇(M2)Yuki Kondo¹, Atsuki Hidaka¹, Hideharu Matsuura¹, Shiyang Ji², Kazuma Eto², Kazutoshi Kojima², Tomohisa Kato², Sadafumi Yoshida², Hajime Okumura² (1.OECU, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, silicon carbide, VRH conduction

SiCを用いたオン抵抗の低いパワーデバイスであるnチャネルIGBTの実用化のため、p型4H-SiCの電気的特性を調べてきた。Al濃度が1.8×10²⁰ cm^-3から3.5×10²⁰ cm^-3の高濃度試料において、抵抗率の温度依存性より、低温域では可変領域ホッピング (VRH) 伝導が支配的であり、Al濃度の増加に伴って抵抗率の温度依存性の傾きから見積もったフェルミ準位付近の局在準位密度が増加することを明らかにした。本研究では、フェルミ準位付近の局在準位密度と局在準位が現れる原因の一つである結晶の周期構造の乱れとして格子面間隔の揺らぎを調べるため、XRD測定を行い、c面の格子面間隔の揺らぎの目安を算出し、フェルミ準位付近の局在準位密度とc面の格子面間隔の揺らぎの関係について議論する。