[25p-E301-1~8] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[25p-E301-4] Local electronic properties of n-type 4H-SiC crystal in contact with multilayer electrode film by micro-Raman spectroscopy at high temperatures

〇Seiya Kondo¹, Jun Suda¹ (1.Chukyo Univ.)

Keywords:Widegap semiconductor, Micro-Raman spectroscopy, Electronic properties

車載用パワーデバイスにおいて4H-SiCは200℃以上の高温動作させる場合があり，電極界面の熱応力変化や電子物性を知る必要がある. 本研究では，新しいスペクトル解析法を利用し，高温領域の多層電極（Ni/Au）付n形4H-SiCの電極界面におけるラマンスペクトルより，熱応力と電子物性を求めた．電極近傍と遠方のn形4H-SiC結晶の電子密度を比較すると，電極近傍の電子密度の方が小さいことがわかった.