[25p-E301-1~8] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[25p-E301-8] [The 43rd JSAP Young Scientist Award Speech] Analyzing Variations of Blocking-Voltage and Capacitance for 4H-SiC Power Devices Toward Guarantee of Long-Term Reliability

〇Hiroyuki Matsushima^1,2, Yuki Mori¹, Aikio Shima¹, Noriyuki Iwamuro² (1.Hitachi, 2.Tsukuba Univ.)

Keywords:semiconductor, silicon carbide, reliability

パワーデバイスで重要な特性の一つである耐圧に関して，終端領域と呼ばれる構造の周辺でチャージアップが生じ，それによる耐圧特性劣化が懸念される。そこで本研究では終端領域における電荷蓄積量をストレス前後の容量変化量から見積もる独自の解析手法で評価し，高温・高湿・高電圧ストレスの影響を定量的に評価することで，耐圧変動抑制のための指針を見出した。