[25p-E304-1~15] 12.2 評価・基礎物性

[25p-E304-11] ワイドギャップ有機半導体の低エネルギー逆光電子分光測定

〇(M1)川島 雅哉¹、キム ミンジュン³、夫 勇進³、吉田 弘幸^2,4 (1.千葉大院融合、2.千葉大院工、3.理研　CEMS、4.千葉大分子キ)

キーワード：低エネルギー逆光電子分光、ワイドギャップ有機半導体

電子伝導準位のエネルギーを表す電子親和力は低エネルギー逆光電子分光法LEIPSにより、非破壊かつ高精度に観測可能である。しかし、電子を照射する原理上ワイドギャップ有機半導体のような試料帯電を起こしやすい導電性の低い試料の測定が困難であった。本研究では、ワイドギャップ有機半導体であるUGH-2を例にとり、試料電流とスペクトルの立ち上がりエネルギーが比例していることに着目し、電子親和力の決定法を確立した。