[25p-E304-1~15] 12.2 Characterization and Materials Physics

△ [25p-E304-4] Observation and Interpretation of In-gap States in Organic Thin Films via High-sensitivity UV Photoelectron Spectroscopy

〇(DC)Ryotaro Nakazawa¹, Watanabe Kenta¹, Ohara Masahiro¹, Kikuchi takehumi¹, Tanaka Yuya^1,2, Tokairin hiroshi³, Ishii Hisao^1,2,4 (1.GSSE Chiba Univ., 2.CFS Chiba Univ., 3.Idemitsu Kosan Co. Ltd., 4.MCRC Chiba Univ.)

Keywords:High sensitivity UV Photoelectron Spectroscopy, Organic semiconductor, in gap states

半導体デバイス特性は禁制帯に存在する微弱なギャップ内準位に大きく左右される。ギャップ内準位の解明は必要不可欠だが、一般的な紫外光電子分光(UPS)はギャップ内準位を観測するには感度不足だった。そこで我々は、入射光の波長を変えながら高感度でUPS測定を行う高感度紫外光電子分光(HS-UPS)を開発した。本研究では、複数の有機EL材料にHS-UPSを適応しギャップ内準位の観測を試みた。その結果7桁というワイドレンジで光電子放出を確認し、ギャップ内準位の観測に成功した。さらに仕事関数以下のエネルギーの入射光でも明確な光電子放出を確認しており、ギャップ内の光電子放出はギャップ内準位のほか負イオン状態や励起状態を観測している可能性がある。講演でスペクトルの解釈を詳細に議論する。