[25p-E305-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [25p-E305-16] Comparison of k_t² hysteresis curves for PbTiO₃ thin film resonators
before and after removing substrates

〇Sota Kuninobu^1,2, Naoya Iwata^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST)

Keywords:Ferroelectric, PbTiO3 thin film, hysteresis curve

強誘電体エピタキシャル薄膜の圧電特性は、薄膜-基板境界面の格子不整合によって生じるエピタキシャル応力の影響を受けることが知られている。しかしながら、ドメイン壁の寄与がないGHz帯において、基板除去前後における電気機械結合係数を定量比較した例はない。
本研究では、MgO基板上にPbTiO₃をエピタキシャル成長させ、自立薄膜共振子および複合共振子を作製した。これらの共振子に外部からDC電界を印加し、外部電界に関する電気機械結合係数k_t²のヒステリシス曲線を測定した。