[25p-E305-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25p-E305-16] PbTiO₃薄膜共振子の基板除去前後におけるk_t²ヒステリシスカーブの比較

〇國信 聡太^1,2、岩田 直也^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

キーワード：強誘電体、PbTiO3薄膜、ヒステリシス曲線

強誘電体エピタキシャル薄膜の圧電特性は、薄膜-基板境界面の格子不整合によって生じるエピタキシャル応力の影響を受けることが知られている。しかしながら、ドメイン壁の寄与がないGHz帯において、基板除去前後における電気機械結合係数を定量比較した例はない。
本研究では、MgO基板上にPbTiO₃をエピタキシャル成長させ、自立薄膜共振子および複合共振子を作製した。これらの共振子に外部からDC電界を印加し、外部電界に関する電気機械結合係数k_t²のヒステリシス曲線を測定した。