[25p-E305-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

[25p-E305-3] The ferroelectric properties of (Al,Sc)N thin film controlled by in-plane orientation and thermal strain

〇(D)Shinnosuke Yasuoka¹, Ryoichi Mizutani¹, Reika Ota¹, Takahisa Shiraishi¹, Takao Shimizu^1,2,3, Masato Uehara⁴, Hiroshi Yamada⁴, Morito Akiyama⁴, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.NIMS, 3.JST PREST, 4.AIST)

Keywords:ferroelectric, (Al,Sc)N, thin film

(Al,Sc)Nの分極反転は2019年に実証され、その強誘電特性は膜中のSc/(Al+Sc)比によって変化することが知られている。(Al,Sc)N膜における強誘電特性の制御因子について様々な報告例があるが、その統一的な制御方法は未解明である。本発表では、熱膨張係数の異なる基板を用いて異なる歪量を持つ(Al,Sc)N膜を作製し、結晶構造と強誘電特性の関係を調査した。さらに、エピタキシャル膜と比較することによって面内配向が強誘電特に及ぼす影響についても調査した。