[25p-E307-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[25p-E307-1] 新電解めっき技術による添加剤フリーの微細配線形成

〇岩津 春生¹ (1.熊本大院先導)

キーワード：半導体、配線、めっき

半導体集積回路の微細配線抵抗を低く抑える為には、配線膜の結晶粒径を大きくする必要があり、新電解めっき技術をもって添加剤フリーで結晶粒径の大きい微細配線膜を実現した。さらに抵抗を下げるには、電気伝導度の低いバリア膜の薄膜化、またシード膜を無くすことが望まれる。今回、新電解めっき技術で下地バリア膜Ru上にシード膜無しにCu微細配線の埋込を行ったので報告する。