The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[25p-E307-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

Fri. Mar 25, 2022 1:30 PM - 5:30 PM E307 (E307)

Takeshi Momose(Univ. of Tokyo), Osamu Sugiura(千葉工大)

4:30 PM - 4:45 PM

[25p-E307-12] Effect of concentration of HF-H2O2 for wet etching of Si using metal catalyst

〇Kyosuke Murata1, Takuya Yorioka1, Naoya Shiraiwa1, Takeshi Ito1, Shoso Shingubara1, Tomohiro Shimizu1 (1.Kansai Univ.)

Keywords:MacEtch, TSV, 3D-LSI

3D-LSIにおいて,SiのエッチングはSi貫通電極(TSV)を形成するための重要なプロセスである.一般的に,TSVホールの形成にはRIEなどの比較的高コストな乾式プロセスが用いられている.そこで,我々は選択的湿式エッチング法であるメタルアシストエッチング (MacEtch)に着目し,TSVホールの形成を試みた.本研究では,エッチング液の濃度を変化させてMacEtchを行った後のAu触媒とSi基板間の界面をTEMで観察し,エッチング形状の溶液濃度依存性について考察した.