[25p-E307-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[25p-E307-12] Effect of concentration of HF-H₂O₂ for wet etching of Si using metal catalyst

〇Kyosuke Murata¹, Takuya Yorioka¹, Naoya Shiraiwa¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹, Tomohiro Shimizu¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:MacEtch, TSV, 3D-LSI

3D-LSIにおいて，SiのエッチングはSi貫通電極(TSV)を形成するための重要なプロセスである．一般的に，TSVホールの形成にはRIEなどの比較的高コストな乾式プロセスが用いられている．そこで，我々は選択的湿式エッチング法であるメタルアシストエッチング (MacEtch)に着目し，TSVホールの形成を試みた．本研究では，エッチング液の濃度を変化させてMacEtchを行った後のAu触媒とSi基板間の界面をTEMで観察し，エッチング形状の溶液濃度依存性について考察した．